ちょっと、そこ！ NPNトランジスタサプライヤーとして、私はこれらの小さな電子の驚異をかなり長い間扱ってきました。今日、私はあなたとNPNトランジスタのパラメーターを測定する方法を共有します。これらの測定値を理解することは非常に重要です。あなたが回路をいじくり回しているか、エレクトロニクス業界で専門家であるかどうかにかかわらず。
まず、NPNトランジスタが何であるかについてすぐに進みましょう。これは、3層の半導体材料で構成される双極ジャンクショントランジスタ（BJT）の一種です。2つのn型層がp型層を挟むことです。これらのトランジスタは、増幅および切り替えのために電子回路で広く使用されています。
さて、測定に。測定する必要があるいくつかの重要なパラメーターがあります。それぞれを説明します。
1。ベース - エミッター電圧（VBE）
ベース - エミッタ電圧は、トランジスタのベースとエミッタ端子の電圧低下です。 VBEを測定するには、マルチメーターが必要です。マルチメーターをDC電圧モードに設定します。マルチメーターの正のリードをNPNトランジスタのベース端子に接続し、負のリードをエミッタ端子に接続します。
前方 - バイアス状態（トランジスタが導かれている場合）では、シリコンNPNトランジスタのVBEの典型的な値は約0.6〜0.7ボルトです。大幅に異なる値を測定すると、短絡や開回路など、トランジスタの問題を示す可能性があります。
2。コレクター - エミッタ電圧（VCE）
コレクター - エミッタ電圧は、コレクターとエミッタ端子の電圧低下です。繰り返しますが、DC電圧モードでマルチメーターを使用します。ポジティブリードをコレクター端子に接続し、負のリードをエミッタ端子に接続します。
VCEの値は、トランジスタの動作モードに依存します。飽和モードでは、VCEは非常に低く、通常0.2ボルト未満です。アクティブモードでは、VCEは回路の構成とトランジスタを介して流れる電流の量によって異なります。 VCEが供給電圧に近い場合、トランジスタがカットオフモードにあることを意味する可能性があります（導電性ではありません）。
3。DC電流ゲイン（βまたはHFE）
DC電流ゲインは、トランジスタがベース電流をどれだけ増幅できるかの尺度です。これは、コレクター電流（IC）とベース電流（IB）、IE、β= IC / IBの比として定義されます。
βを測定するには、トランジスタテスターまたは回路のセットアップを使用できます。一般的な方法の1つは、電源を備えた単純な回路、ベース回路の抵抗器をベース電流を制限し、コレクター回路の抵抗をセットアップすることです。電流計を使用してベース電流とコレクター電流を測定します。次に、コレクター電流をベース電流で除算してβを計算します。
ほとんどのNPNトランジスタは、50〜300の範囲のβ値を持っていますが、トランジスタの種類と動作条件によって異なる場合があります。
4。コレクター電流（IC）
コレクター電流は、トランジスタのコレクター端子を流れる電流です。 ICを測定するには、コレクター回路で直列に電流計を挿入できます。電流計を適切な電流範囲に設定してください。
コレクター電流は、トランジスタの電力散逸と負荷を駆動する能力を決定するため、重要なパラメーターです。コレクターの電流が高すぎると、トランジスタが過熱して損傷を受ける可能性があります。
5。逆漏れ電流（ICBOおよびICEO）
ICBOは、エミッタが開いているときにコレクターからベースへの逆漏れ電流です。 ICEOは、ベースが開いているときにコレクターからエミッタまでの逆漏れ電流です。
これらの漏れ電流は、通常、マイクロープまたはナノアンプの順に非常に小さくなります。それらを測定するには、敏感な電流計が必要です。漏れ電流の値が高いと、トランジスタの欠陥または回路の問題が示されます。
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NPNトランジスタのパラメーターを測定することは、回路での適切な動作を確保するために重要です。 VBE、VCE、β、IC、および漏れ電流を正確に測定することにより、問題をトラブルシューティングし、アプリケーションに適したトランジスタを選択し、電子回路のパフォーマンスを最適化できます。
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参照
- トーマス・L・フロイドによる「電子機器」
- ポール・ホロウィッツとウィンフィールド・ヒルによる「エレクトロニクスの芸術」
